返回资讯中心
外部精选
企业动态
#科技资讯

消息 NVIDIA 下代 Groq LPU 芯片转向 3D 堆叠 DRAM,放弃大 SRAM 方案

IT之家 10 月 21 日消息,韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称,NVIDIA(英伟达)的下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望采用基于 TSV(硅通孔)工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案。 当前一代的 Groq LPU 采用了大容量 SRAM 的缓存设计,提供快速解码输出。但 SRAM 有着容量较小、制程升级密度收益有限的问题,在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。 IT之家注意到,同样采用大 SRAM…

IT之家2026/10/21 · 15 天前1 分钟阅读中文

这个来源的 RSS 只提供摘要,下面是原文导语;完整论述请点「打开原文」。

IT之家 10 月 21 日消息,韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道称,NVIDIA(英伟达)的下代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望采用基于 TSV(硅通孔)工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案。 当前一代的 Groq LPU 采用了大容量 SRAM 的缓存设计,提供快速解码输出。但 SRAM 有着容量较小、制程升级密度收益有限的问题,在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。 IT之家注意到,同样采用大 SRAM 技术路线的 Cerebras 此前已预告未来的 CS-6 将 3D 垂直集成 DRAM。 相关阅读:

  • 《Cerebras 揭秘 CS-6 晶圆级进化:颠覆性 3D 堆叠,首次垂直集成 DRAM》

本条为导读摘要,完整论述请以原文为准。

打开原文
去社区讨论 →